Semiconductor Science and Engineering Laboratory

最新情報 †

• 2010/5/20 最先端研究開発支援プログラム「低炭素社会創成へ向けたSiC革新パワーエレクトロニクスの研究開発」のホームページが公開されました。
• 2010/5/15 奥村宏典(博士課程2回生)、上田俊策(修士課程2回生)の2名が、それぞれ、第2回窒化物半導体結晶成長講演会発表奨励賞を受賞しました。
• 2010/5/15 日経サイエンス5月号の「フロントランナー第5回」に木本教授が取り上げられました。
• 2010/3/10 SiCパワーデバイスに関する産学連携研究の成果発表(知的クラスターフォーラム)が半導体産業新聞等に掲載されました。
• 2010/1/29 奥村宏典(博士課程1回生)が、第39回結晶成長国内会議講演奨励賞を受賞しました。
• 2010/1/22 西佑介助教が電気材料技術懇談会の優秀論文賞を受賞しました。
• 2009/12/18 川原洸太朗(修士課程2回生)が応用物理学会「SiC及びワイドギャップ半導体研究会」第18回講演会において研究奨励賞を受賞しました。
• 2009/11/5 日経産業新聞の「先端人」に木本教授が取り上げられました。
• 2009/10/8 当研究室のSiC半導体に関する取り組みが最先端研究の一つとして読売新聞の科学欄に掲載されました。
• 2009/10/7 京都大学(木本)、ロームと共同で、世界最高性能の大容量低抵抗SiCトレンチMOSFETの開発に成功しました。(京大、asahi.com、京都新聞他)
• 2009/9/4 木本教授が内閣府・最先端研究開発支援プログラムの中心研究者に選ばれました。
• 2009/5/25 堀田昌宏(博士課程3回生,発表時)、三宅裕樹(修士課程2回生,発表時)の2名が、それぞれ、第26回(2009年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
• 2009/5/15 吉岡裕典(博士課程3回生)、三宅裕樹(博士課程1回生)の2名が、それぞれ、IEEE IMFEDK2009の発表に対してStudent Awardを受賞しました。
• 2009/4/8 日刊工業新聞2009年4月8日号で、点欠陥フリーSiC結晶実現の研究成果（日吉、木本）が紹介されました。
• 2008/12/9 日吉透(修士課程2回生)が応用物理学会「SiC及びワイドギャップ半導体研究会」第17回講演会において研究奨励賞を受賞しました。
• 2008/9/10 堀田昌宏(博士課程3回生)が、ECSCRM2008での発表でBest Student Poster Awardを受賞しました。
• 2008/5/23 日吉透(修士課程2回生)が、IEEE IMFEDK2008での発表に対してStudent Awardを受賞しました。
• 2008/5/20 日刊工業新聞2008年5月20日号で、高性能横型SiC MOSFETの研究成果（登尾、須田、木本）が紹介されました。
• 2008/4/21 鈴木亮太(学会発表時 修士課程2回生)が、米国Materials Research SocietyからGraduate Student Award(2008 Spring Meeting)を受賞しました。
• 2008/4/15 日刊工業新聞2008年4月15日号で、京都大学、東京エレクトロン、ロームの共同研究（高品質SiCエピ成長の量産技術）が「産学連携の成功モデル」として紹介されました。
• 2008/4/1 西佑介助教が着任しました。

2006,2007年度のニュースはこちら

受賞についてタイトルなど詳細はこちら

背景 †

2005年2月に京都議定書が発効され、「環境の世紀」が始まりました。一方で、携帯電話やインターネットに代表される情報通信技術の進展は著しく、その発展には多量の電気エネルギーの消費を伴います。エネルギーの電化率が高くなっている現在、あらゆる電気・電子機器には、高性能化だけでなく低消費電力化が強く求められています。

これまでの半導体デバイスを支えてきたのは主にSi LSIであり、その高性能化の歴史はMOSトランジスタの微細化の歴史でした。しかしながら、従来技術の延長である「微細化（スケーリング）」による高性能化は、近い将来、様々な物理的障壁（短チャネル効果、発熱、量子力学的ゆらぎなど）に直面します。したがって、今後、半導体デバイスのさらなる高性能化と低消費電力化を両立させるためには、新しい原理や新しい材料を導入し、ナノテクノロジーに代表される先端技術を積極的に活用することが重要となります。「環境元年」は、半導体材料・デバイスにとっても大きな転換期で、「半導体」は新たな局面を迎えた活気に溢れる学際分野を提供しています。

本研究室の取り組み †

本研究室では、新しいデバイス動作原理や構造、新しい材料の導入によって、従来の微細Siデバイスの限界を打破する「ポストSi」キーデバイスの実現を目指した研究に取り組んでいます。

1. 低次元半導体ナノ構造を用いた無散乱コヒーレント・トランジスタ
2. 抵抗変化を利用した低消費電力不揮発性メモリ
3. 窒化物半導体ヘテロ接合を用いた光・電子デバイス
4. 高温動作MEMS(マイクロマシン)センサー/アクチュエータ
5. ワイドギャップ半導体SiC電子デバイス

いずれの研究テーマも半導体物理、材料科学、量子力学、熱力学、結晶工学、電子工学などの学術分野を広くカバーしており、新しい物理現象の発見・解明やそのモデル化が重要です。京都大学ならではの科学的思考に基づいた科学と工学の融合で、世界の先端を走る研究を常に心がけています。c

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